沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)

本文档由 卿本佳人 分享于2010-12-07 07:47

沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)[设计]张 娜 吴晓鹏  约5254字  随着微电子行业的发展,微处理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作频率越来越高等),这就要求其电流不断增大。同时,为了降低功耗,电源电压必须不断降低...
文档格式:
.txt
文档大小:
6.01K
文档页数:
2
顶 /踩数:
0 0
收藏人数:
0
评论次数:
0
文档分类:
建筑/环境 --  建筑科学
添加到豆单
系统标签:
mosfet 沟槽 功率 低压 栅极 qgd
下载文档
收藏
打印

君,已阅读到文档的结尾了呢~~

扫扫二维码,随身浏览文档

手机或平板扫扫即可继续访问

推荐豆丁书房APP  

获取二维码

分享文档

将文档分享至:
分享完整地址
文档地址: 复制
粘贴到BBS或博客
flash地址: 复制

支持嵌入FLASH地址的网站使用

html代码: 复制

默认尺寸450px*300px480px*400px650px*490px

支持嵌入HTML代码的网站使用





82