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沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)

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沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)［产业发展］吴晓鹏 张 娜　　约8303字　　摘要：近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（...
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建筑/环境 --  建筑科学
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mosfet 沟槽 低压 功率 电阻 rds
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