双频段射频前端低噪声放大器和混频器电路设计
本文档由 948265406 分享于2010-10-29 22:32
随着无线通信技术的迅猛发展和巨大的市场空间，相关的各种无线集成解决方案一直被广泛研究，其中基于CMOS工艺的解决方案由于成本、功耗的优势已成为研究热点，作为射频接收机中的两个重要的模块-低噪声放大器和混频器，采用CMOS工艺设计早就引起RFIC设计业的重视。本文采用CMOS工艺进行了一个应用于无线局域网(802.11a)和3G(2.6GHz频段)通讯双频段零中频接收机中的低噪声放大器和混频器的..
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