新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究
本文档由 SHU 分享于2010-11-09 12:27
SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一，以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性，在高温，抗辐照，高功率等工作条件下具有明显的优势。4H．SiC被认为是研制MESFET的最佳材料之一。而存在于4H．SiC MESFET的表面陷阱会引起电流的不稳定性。具有较好的击穿特性会使其更广泛地应用于高压领域。为了屏蔽表面陷阱并提高击穿电压，本文设计并研究了三种不同的碳化硅MESFET新结构，..
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