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第五章 电介质的绝缘击穿.pdf
〈〈近代电介质理论〉〉讲义5.1 如前章所述加于电解质上的电场继续增加，那末介质中的电流即按照由低电场到高电场的导电过程作非线性增长。如若电场一旦增加到某一临界值之上时，电流则将繁盛突然的剧增。这是因
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调整工具机的回击和/或击穿识别的方法、工具机和工具机系统.pdf
调整工具机的回击和/或击穿识别的方法、工具机和工具机系统调整工具机的回击和/或击穿识别的方法、工具机和工具机系统调整工具机的回击和/或击穿识别的方法、工具机和工具机系统
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高压功率mosfet终端结构击穿特性的研究.pdf
国内图书分类号：ＴＮ３８６．１国际图书分类号：６２１．３８ 西南交通大学 研究生学位论文 密级：公开 姓名王麴麴申请学位级别 专业电路皇丕统指导老师 迢全速教拯 二零一三年四月 一令一二，平四月Ｃｌａ
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高电压 技术 提高气体间隙击穿电压的措施.ppt
为了缩小电力设施的尺寸，总希望将气隙长度或绝缘距离尽可能取得小一些，为此就应采取措施来提高气体介质的电气强度。从实用角度出发，要提高气隙的击穿电压不外乎通过两条途径：改善气隙中的电场分布，使之均匀；设
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气体间隙的击穿强度ppt课件.ppt
电场情况均匀电场、稍不均匀电场、极不均匀电场影响气体间隙击穿电压的主要因素：高电压工程基础电压形式稳态电压（直流电压与交流电压）、雷电冲击电压、操作冲击电压大气条件气压、温度、湿度高电压工程基础高电压
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经由激光脉冲能的非水光学击穿产生等离子体以分解血管钙.pdf
经由激光脉冲能的非水光学击穿产生等离子体以分解血管钙经由激光脉冲能的非水光学击穿产生等离子体以分解血管钙经由激光脉冲能的非水光学击穿产生等离子体以分解血管钙
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用于改善半导体器件中漏极到栅极击穿电压的无掩模工艺.pdf
用于改善半导体器件中漏极到栅极击穿电压的无掩模工艺用于改善半导体器件中漏极到栅极击穿电压的无掩模工艺用于改善半导体器件中漏极到栅极击穿电压的无掩模工艺
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具有带有改进的击穿特点的栅极介电层的半导体功率设备和形成此类设备的方法.pdf
具有带有改进的击穿特点的栅极介电层的半导体功率设备和形成此类设备的方法具有带有改进的击穿特点的栅极介电层的半导体功率设备和形成此类设备的方法具有带有改进的击穿特点的栅极介电层的半导体功率设备和形成此类设备的方法
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电介质击穿.doc
电介质击穿
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电容器击穿机理.pdf
电容器击穿机理电容器击穿机理电容器击穿机理
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