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高温离子注入靶盘简介.doc
高温离子注‎入厚度的二氧‎化硅层,是控制注入‎缺陷、保证二氧化‎硅埋层厚度‎均匀的关键‎因素[3]。可见,无论是碳化‎硅材料掺杂‎还是SIM‎OXSOI材料‎制备,高温离子注‎入靶技术已‎成为制约碳‎
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飞镖靶盘的计分说明.doc
竞赛中,必须使用由中国飞镖协会指定或认定的、符合国际标准的20等分琼麻质地的镖盘。 (二)分值区:此区为镖盘外圈标定分数的本分值区。 (三)双倍区:镖盘外圈的狭窄圈环,为各分值区的两倍。 (四)三倍区
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用于重频激光打靶的靶片及可装卸靶盘.pdf
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一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘.pdf
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阳极靶盘焊接结构.pdf
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一种提高靶盘金属界面结合强度的结构以及靶盘.pdf
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一种注入靶盘改良方法.pdf
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一种阳极靶盘的焊接方法.pdf
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一种X射线阳极靶盘及其制备方法.pdf
一种X射线阳极靶盘及其制备方法一种X射线阳极靶盘及其制备方法一种X射线阳极靶盘及其制备方法
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一种SiC注入用高温加热靶盘.pdf
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